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熱蒸發(fā)鍍膜儀的物理過程主要包括材料的蒸發(fā)、氣態(tài)粒子的輸運以及在基底上的沉積成膜。在蒸發(fā)過程中，材料需要獲得足夠的熱能以克服分子間的結合能，從而轉變?yōu)闅鈶B(tài)分子并從蒸發(fā)源表面逸出 。這些氣態(tài)粒子在輸運過程中基本上無碰撞地直線飛行到基底表面，并在那里凝聚形核生長成固相薄膜
本產(chǎn)品為專為高真空設計的桌面型小型蒸發(fā)鍍膜儀，可提供*大150A的鍍膜電流，*大蒸發(fā)溫度可達1800℃，能夠滿足各種常見金屬的蒸鍍及部分非金屬蒸鍍。真空腔體采用不不銹鋼制作，出廠經(jīng)過除氣處理，配合分子泵組可達到5x10-5Pa極限真空，能夠滿足絕大部分材料蒸發(fā)所需的真空環(huán)境。真空腔體采用前開門開啟方式，便于取放樣，腔體上配置有帶擋板的適應觀察窗，用于觀察鍍膜過程，擋板則可以有效防止觀察窗被膜料污染.
蒸發(fā)鍍膜儀產(chǎn)品特點：
高純度薄膜：由于在高真空條件下進行，減少了氣體分子與蒸發(fā)材料的碰撞，從而能夠制備出高純度的薄膜。
**控制：蒸發(fā)鍍膜技術允許對薄膜的厚度、成分和結構進行**控制，這在許多高精度應用中至關重要。
適用多種材料：蒸發(fā)鍍膜技術可以用于多種材料，包括金屬、合金、氧化物、碳化物、氮化物以及有機材料等。
高沉積速率：特別是使用電子束蒸發(fā)時，由于高能量的電子束能夠快速加熱材料，可以實現(xiàn)高沉積速率。
均勻性：通過適當?shù)墓に噮?shù)調整，可以在大面積基底上獲得均勻的薄膜。
低損傷：由于加熱主要集中在蒸發(fā)材料上，對基底的熱影響較小，適用于熱敏材料的薄膜沉積。
技術參數(shù)：
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產(chǎn)品名稱 |
桌面型三源蒸發(fā)鍍膜儀 |
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產(chǎn)品型號 |
CY-EVZ254- III-H-SS |
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真空腔體 |
腔體材質 |
304不銹鋼焊接而成，表面做拋光處理 |
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取放模式 |
前開門方式取放樣品和蒸鍍材料 |
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觀察窗 |
直徑80mm真空窗口，配有磁力擋板，防止污染 |
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樣品臺 |
樣品尺寸 |
≦100mm |
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旋轉速度 |
0-20RPM |
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加熱溫度 |
≦300℃ |
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蒸發(fā)系統(tǒng) |
蒸發(fā)源 |
塢舟3個 |
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鍍膜方式 |
熱蒸發(fā)鍍膜 |
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真空系統(tǒng) |
抽氣接口：KF25/40, 排氣接口： KF16 |
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復合真空計 |
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前級泵 |
旋片泵 抽速： 1.1L/S |
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分子泵 |
抽速： 60L/S (大阪分子泵) |
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膜厚測量 |
通常配CYKY膜厚測量儀 |
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供電電壓 |
AC220V,50Hz |
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整機功率 |
2KW |
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外形尺寸 |
710mm X 480mm X690mm |
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包裝重量 |
70 KG |
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